三星电子计划在本月成立一个新的R&D中心用于研发更先进的NAND闪存

据国外媒体报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在本月成立一个新的R&D中心，负责研发更先进的NAND闪存。

韩国媒体首先报道，三星电子计划在本月成立一个新的R&D中心，用于研发更先进的NAND闪存他们在报道三星电子的236层NAND闪存预计今年投产时提到了这一点

据韩国媒体报道，三星电子成立了一个更先进的NAND闪存研发中心，这与NAND闪存研发领域的激烈竞争有关，因为竞争对手已经开发出了先进的产品。

韩国媒体在报道中提到，SK海力士已经宣布开发238层NAND闪存，预计明年上半年量产，美光科技也完成了232层NAND闪存的研发未来要想在NAND闪存市场占有优势，势必需要不断开发更先进的产品

根据研究机构的数据，三星电子目前在NAND闪存市场的份额远高于其他厂商就今年第一季度而言，三星电子份额高达35.3%，第二大厂商份额为18.9%，SK海力士份额为18%